Catalogue en ligne - Composants électroniques. Page 47 sur 1235. Avtronic

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25932 articles disponibles

Affichage 21 articles: 2SK3568 à 2SK725 (Page 47 sur 1235)

Transistor 2SK3568

6.61€ TTC

10 En stock

Transistor 2SK3568 N-MOS+Z 500V 12A IDp:48A 40W 0.4R Sw-Reg.. Field Effect (TT-MOSVI). Switch Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK3569

7.22€ TTC

5 En stock

Transistor 2SK3569 N-MOS+Z 600V 10A IDp:40A 45W 0.54R Sw-Reg.. Field Effect (TT-MOSVI). Switch Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK3667

11.20€ TTC

10 En stock

Transistor 2SK3667 N-MOS+Z 600V 7.5A IDp:30A 45W 0.78R SW-Reg.. Field Effect (TT-MOSVI). Switch Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK3679

9.24€ TTC

48 En stock

Transistor MOSFET canal N 900V 9A/36Ap 95W 1.22R. Constructeur: Fuji Electric. Code constructeur: 2SK3679-01MR. Marquage boîtier: K3679. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO220F. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 900V. Id(T:25): 9A. Puissance: 95 W. Id(imp): 36 Ap. Idss (min): 25 uA. Idss (max): 250 uA. Vgs: 30V. Vg

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK3683-01MR

29.46€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK3683-01MR N-MOS 500V 19A IDp:76A 97W 0.29R SW-Reg.. Super FAP-G Series. High speed switching. Constructeur: FUJ. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 19 A

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK3699-01MR

14.00€ TTC

94 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 900V 3.7A/14.8Ap 43W 3.31R. Constructeur új: Fuji Electric. Référence d'origine constructeur: 2SK3699-01MR. Marquage boîtier: K3699. Boîtier: TO-220F. Type de boîtier: TO-220FP. Vds(max): 900V. Id(@25ºC): 3.7A. Puissance: 43W. Id(T=100): 3.7A. Id(imp): 14.8 Ap. Résistance Rds: 3.31 Ohms. Diode de protect

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK3799

13.10€ TTC

25 En stock

Transistor 2SK3799 N-MOS+Z 900V 8A IDp:24A 50W 1R SW-Reg.. Field Effect (TT-MOSIV). Switch Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N 2SK3850TP

12.04€ TTC

2 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 0.7A/2.8Ap. 15W. Résistance passante RDSon : 14 Ohms

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK3850TP-FA

13.78€ TTC

2 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 600V. Courant de drain maxi: 0.7A. Puissance: 15W. Rds: 14 Ohms. Boîtier: TO-252AA(CMS D-PAK).

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK3878

14.56€ TTC

40 En stock

Transistor MOSFET canal N+Z 900V 9A/27Ap. 150W 1R (5.3A). Constructeur: STMicroelectronics. Code constructeur: 2SK3878(F). Marquage boîtier: K3878. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO-3P. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 900V. Id(T:25): 9A. Puissance: 150 W. Id(T:100): 5.3A. Id(imp): 27 Ap. Idss (min)

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N 2SK3911

13.22€ TTC

66 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 600V 20A/80Ap 150W. Résistance passante RDSon : 0.22 Ohms

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK3934

17.58€ TTC

1 En stock

Transistor 2SK3934 N-MOS+Z 500V 15A/60Ap 50W 0.23R. Field Effect MOS Type(TT-MOS VI). Yfs: 8.2S. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.23. Courant impulsion: 60 Ap. Puissance:

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK3936

29.68€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK3936 N-MOS+Z 500V 23A/92Ap 150W 0.2R. Field Effect MOS Type(MACH-II-MOS VI). Yfs: 15.6S. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Rds (Ohms): 0.2. Courant impulsion: 92 Ap. Puissan

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK4012(Q)

11.82€ TTC

58 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 500V 13A. Boîtier: TO-220F. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 13A. Puissance: 45W. Résistance Rds: 0.33 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK4013(Q)

10.42€ TTC

17 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 6A. Boîtier: TO-220F. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 6A. Puissance: 45W. Résistance Rds: 1.35 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK4017(Q)

3.53€ TTC

227 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 60V 5A. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 5A. Puissance: 20W. Résistance Rds: 0.09 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK4075

8.06€ TTC

53 En stock

Transistor 2SK4075 N-MOS 40V 60A/180Ap. 52W 0.0052R ton:18nS. toff:54. MOS Field Effect Transistor. Power MOS FET. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-252AA (D-PAK). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A. Rds (Ohms): 0.0052. Courant

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK4108

20.66€ TTC

29 En stock

Transistor 2SK4108 N-MOS+Z 500V 20A IDp:80A 150W 0.21R. Field Effect Transistor. MOS Type (MOS VI). Switching Regulator Applications. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. td(on)130nS. td(off)280nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C)

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK49

2.69€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK49 N-FET 20V Idss: 0.5..6mA Up<2.5V. AM/FM. Constructeur: HIT. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 mA

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK583

3.08€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK583 N-FET 50V 0.2A 0.6W 20R. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: SAN. Boîtier: ANALogarithmique-SW. Tension de Drain maxi: 50 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.2 A. Rds (Ohms): 20. Puissance: 0.6 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2SK725

26.94€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK725 N-MOS 500V 15A 125W <0.38R. V-MOS S-L. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.38. Puissance: 125 W

Tarifs dégressifs

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Transistor 2SK3568

Transistor 2SK3568 N-MOS+Z 500V 12A IDp:48A 40W 0.4R Sw-Reg.. Field Effect (TT-MOSVI). Switch Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A

Transistor 2SK3569

Transistor 2SK3569 N-MOS+Z 600V 10A IDp:40A 45W 0.54R Sw-Reg.. Field Effect (TT-MOSVI). Switch Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A

Transistor 2SK3667

Transistor 2SK3667 N-MOS+Z 600V 7.5A IDp:30A 45W 0.78R SW-Reg.. Field Effect (TT-MOSVI). Switch Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A

Transistor 2SK3679

Transistor 2SK3683-01MR

Transistor 2SK3683-01MR N-MOS 500V 19A IDp:76A 97W 0.29R SW-Reg.. Super FAP-G Series. High speed switching. Constructeur: FUJ. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 19 A

Transistor 2SK3699-01MR

Transistor 2SK3799

Transistor 2SK3799 N-MOS+Z 900V 8A IDp:24A 50W 1R SW-Reg.. Field Effect (TT-MOSIV). Switch Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A

Transistor MOSFET canal-N 2SK3850TP

Transistor MOSFET canal-N 600V 0.7A/2.8Ap. 15W. Résistance passante RDSon : 14 Ohms

Transistor 2SK3850TP-FA

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 600V. Courant de drain maxi: 0.7A. Puissance: 15W. Rds: 14 Ohms. Boîtier: TO-252AA(CMS D-PAK).

Transistor 2SK3878

Transistor MOSFET canal-N 2SK3911

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 600V 20A/80Ap 150W. Résistance passante RDSon : 0.22 Ohms

Transistor 2SK3934

Transistor 2SK3934 N-MOS+Z 500V 15A/60Ap 50W 0.23R. Field Effect MOS Type(TT-MOS VI). Yfs: 8.2S. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.23. Courant impulsion: 60 Ap. Puissance:

Transistor 2SK3936

Transistor 2SK3936 N-MOS+Z 500V 23A/92Ap 150W 0.2R. Field Effect MOS Type(MACH-II-MOS VI). Yfs: 15.6S. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Rds (Ohms): 0.2. Courant impulsion: 92 Ap. Puissan

Transistor 2SK4012(Q)

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 500V 13A. Boîtier: TO-220F. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 13A. Puissance: 45W. Résistance Rds: 0.33 Ohms.

Transistor 2SK4013(Q)

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 6A. Boîtier: TO-220F. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 6A. Puissance: 45W. Résistance Rds: 1.35 Ohms.

Transistor 2SK4017(Q)

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 60V 5A. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 5A. Puissance: 20W. Résistance Rds: 0.09 Ohms.

Transistor 2SK4075

Transistor 2SK4075 N-MOS 40V 60A/180Ap. 52W 0.0052R ton:18nS. toff:54. MOS Field Effect Transistor. Power MOS FET. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-252AA (D-PAK). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A. Rds (Ohms): 0.0052. Courant

Transistor 2SK4108

Transistor 2SK4108 N-MOS+Z 500V 20A IDp:80A 150W 0.21R. Field Effect Transistor. MOS Type (MOS VI). Switching Regulator Applications. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. td(on)130nS. td(off)280nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C)

Transistor 2SK49

Transistor 2SK49 N-FET 20V Idss: 0.5..6mA Up<2.5V. AM/FM. Constructeur: HIT. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 mA

Transistor 2SK583

Transistor 2SK583 N-FET 50V 0.2A 0.6W 20R. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: SAN. Boîtier: ANALogarithmique-SW. Tension de Drain maxi: 50 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.2 A. Rds (Ohms): 20. Puissance: 0.6 W

Transistor 2SK725

Transistor 2SK725 N-MOS 500V 15A 125W <0.38R. V-MOS S-L. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.38. Puissance: 125 W

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